- AutorIn
- Frank Allenstein
- Titel
- Untersuchungen zum Wachstum dünner NiSi(2-x)Al(x)- und NiSi(2-x)Ga(x)-Schichten auf Si(001)
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:swb:ch1-200700328
- Datum der Einreichung
- 09.08.2006
- Datum der Verteidigung
- 12.01.2007
- Abstract (DE)
- Im Rahmen dieser Arbeit wurden erste Untersuchungen zur Herstellung dünner NiSi(2-x)Al(x)- bzw. NiSi(2-x)Ga(x)-Schichten auf Si(001) erbracht. Dazu wurden Ni-Si-Al-Schichten mittels DC-Magnetron-Sputtern sowie Ni-Si-Ga-Schichten mittels Molekular-Strahl-Epitaxie (MBE) abgeschieden und anschließend in Abhängigkeit von der Herstellungsprozedur in einer RTA-Anlage thermisch behandelt. Die so entstandenen Reaktionsschichten wurden anschließend mittels RBS charakterisiert, wobei zusätzlich REM-, TEM-, AES-Tiefenprofil- und XRD-Untersuchungen ergänzend genutzt wurden. Es zeigt sich, dass unabhängig von der Abscheideprozedur bei ausreichend hoher Temper- bzw. Substrattemperatur die thermodynamisch stabilen Endphasen NiSi(2-x)Al(x) bzw. NiSi(2-x)Ga(x) gebildet werden. Während die Bildungstemperatur bei Festphasenreaktionen ohne Al- bzw. Ga-Zugabe für NiSi2 etwa 700°C beträgt, reduziert sich diese unter Anwesenheit von Al- bzw. Ga-Atomen auf 500°C und darunter. Dabei scheinen bereits eine Al- bzw. Ga-Konzentration von unter einem Atomprozent als notwendiger Stoffmengenanteil auszureichen. Befindet sich der Ort der Keimbildung der NiSi(2-x)Al(x)- bzw. NiSi(2-x)Ga(x)-Kristallite an der Grenzfläche zum Si(001)-Substrat, so ist eine Änderung der bevorzugten Wachstumsorientierung von NiSi(2-x)Al(x)(001)[100] || Si(001)[100] bzw. NiSi(2-x)Ga(x)(001)[100] || Si(001)[100] (A-Typ) zu einer NiSi(2-x)Al(x)(220) || Si(001)- bzw. NiSi(2-x)Ga(x)(220) || Si(001)-Vorzugsorientierung festzustellen. Die dafür notwendige Konzentration von Al- bzw. Ga-Atomen scheint jedoch höher zu sein als die, die für die Erniedrigung der Bildungstemperatur notwendig ist.
- Freie Schlagwörter
- NiSi(2-x)Al(x)
- NiSi(2-x)Ga(x)
- Si(001)
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Normschlagwörter (GND)
- Auger-Spektroskopie
- Durchstrahlungselektronenmikroskopie
- Molekularstrahlepitaxie
- Rasterelektronenmikroskop
- Rutherford Back Scattering
- Röntgendiffraktometrie
- Schichtenbildung
- Sputtern
- Wachstumsprozess
- GutachterIn
- Prof. Dr. Hans-Jürgen Hinneberg
- Prof. Dr. Walter Hoyer
- Prof. Dr. Siegfried Mantl
- BetreuerIn
- Prof. Dr. Hans-Jürgen Hinneberg
- Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution
- Technische Universität Chemnitz, Chemnitz
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:swb:ch1-200700328
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 22.07.2007
- Dokumenttyp
- Dissertation
- Sprache des Dokumentes
- Deutsch